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GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
【项目名称】 GaN基宽隙半导体微电子器件的基础研究
【项目编号】 60136020
【项目目标】
【项目关键词】 GaN 缓冲层 微电子器件 GaN外延层 γAl2O3 方块电阻 迁移率 半导体 AlGaN 蓝宝石衬底 背底 AlN 拉曼散射谱 光荧光谱 栅宽 X波段 响应度 外延薄膜 衬底 MOCVD 功率器件 基础研究 X射线衍射谱 载流子浓度 探测器 过渡层 厚度 器件 输出功率 表面粗糙度 X光双晶衍射 功率HEMT
【项目承办单位】 南京大学;
【项目负责人】 郑有斗;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 165万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
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    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-01-16
    【申请截止时间】 2001-03-31
    【立项时间】 2002-01
    【完成时间】 2005-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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