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第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
【项目名称】 第三代半导体材料SiC大尺寸单晶和薄膜生长研究
【项目编号】 50132040
【项目目标】
【项目关键词】 薄膜生长 粗糙散射 relaxation β-SiC 半导体材料 大尺寸 单晶生长 单晶 温度传感器 PVT法 碳化硅单晶 SiC单晶 针孔 分形模型 碳化硅 高温 碳化硅原料 气相组分 正向压降 正向电流 界面 自协方差函数 原料 肖特基势垒二极管 生长晶体 表面高度 物相变化 成晶 籽晶 结构函?
【项目承办单位】 中国科学院物理研究所;
【项目负责人】 陈小龙;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 物理学
【科研经费】 160万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-01-16
    【申请截止时间】 2001-03-31
    【立项时间】 2002-01
    【完成时间】 2004-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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