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低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
【项目名称】 低温高密度等离子体的形成及其在硅薄膜生长中的应用
【项目编号】 10175030
【项目目标】
【项目关键词】 硅薄膜 高密度等离子体 多晶Si薄膜 钇硅化物 相对密度 薄膜生长 粗糙度 连带效应 红外光辐照处理 最佳温度 入射 等离子体CVD 原子迁移 低温 Monte 结晶取向 纳米Si 原子 六方相 计算机模拟 表面粗糙度 结构相变 反应气体 Carlo方法 衬底温度 离子注入 内部晶格 原位方块电
【项目承办单位】 兰州大学;
【项目负责人】 贺德衍;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 工业通用技术及设备
【科研经费】 19万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-01-16
    【申请截止时间】 2001-03-31
    【立项时间】 2002-01
    【完成时间】 2004-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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