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针对高深宽比硅微结构等离子体低温刻蚀技术研究
针对高深宽比硅微结构等离子体低温刻蚀技术研究
项目基本信息
[信息不全或有误,联系"中国知网"]
【项目名称】
针对高深宽比硅微结构等离子体低温刻蚀技术研究
【项目编号】
50205020
【项目目标】
【项目关键词】
硅微结构 高深宽比 刻蚀技术 微型槽 滑移流动 微小空间 平行平板 压强分布 等离子体 低温 内燃机 燃烧 气体 尺寸效应 平均分子自由程 放电能量 平板电容 蒸发工艺 抛物曲线 阻尼 氢气 燃烧不稳定 最小点火能 边界滑移 淬熄距离 电镀工艺 微燃烧 气体压强 速度滑移 预混气?
【项目承办单位】
西安交通大学;
【项目负责人】
卢德江;
【项目来源】
国家自然科学基金项目
【涉及学科】
仪器仪表工业
【科研经费】
23万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
【项目参与研究机构】
【项目成果摘要】
【发布单位】
国家自然科学基金委员会
【发布时间】
2001-12-04
【申请截止时间】
2002-03-31
【立项时间】
2003-01
【完成时间】
2005-12
【申请条件】
【联系方式】
【项目信息来源】
https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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