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非平衡磁控溅射ICP增强电离会切磁场约束沉积技术
非平衡磁控溅射ICP增强电离会切磁场约束沉积技术
【项目名称】 非平衡磁控溅射ICP增强电离会切磁场约束沉积技术
【项目编号】 50277003
【项目目标】
【项目关键词】 增强电离 会切磁场 非平衡磁控溅射 Cu膜 沉积技术 ICP 膜基界面 晶粒尺度 射频等离子体 空洞 织构 下沉 最佳实验参数 实验性能 表面形貌 致密 射频电 高密度等离子体 等离子体增强 薄膜沉积 成分分析 能谱 成膜 基片 集成电路 衬底 用电 X射线衍射 扫描电镜 薄膜 分析结果
【项目承办单位】 大连理工大学;
【项目负责人】 任春生;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 工业通用技术及设备
【科研经费】 25万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2001-12-04
    【申请截止时间】 2002-03-31
    【立项时间】 2003-01
    【完成时间】 2005-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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