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掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能
掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能
【项目名称】 掠入射荧光XAFS研究半导体量子体系的结构和性能
【项目编号】 10375059
【项目目标】
【项目关键词】 XAFS Ge纳米晶 GeO_2 量子体系 掠入射 Ge量子点 局域结构 摩尔分数 热扩散 半导体 扩展X射线吸收精细结构 荧光 原子 SiO_2 荧光EXAFS 物相 量子点 荧光X射线 退火 近邻配位 自组装 无序度 配位原子 分子束外延生长 扩散效应 磁控溅射法 高温退火 面密度 生长温度 配位数 ?
【项目承办单位】 中国科学技术大学;
【项目负责人】 韦世强;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学;化学
【科研经费】 34万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2002-12-16
    【申请截止时间】 2003-03-31
    【立项时间】 2004-01
    【完成时间】 2006-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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