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用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
【项目名称】 用二维多普勒展宽谱研究GaSb等半导体的缺陷及缺陷化学环境
【项目编号】 10375043
【项目目标】
【项目关键词】 GaSb 二维多普勒 缺陷化学 多普勒展宽 磷化铟 空位团 源修正 电子辐照 深能级缺陷 湮没 慢正电子束 磷化铁 退火 缺陷 退火气氛 半导体 离子注入 束缚电子 ZnO 正电子湮没 气氛 高温退火 抛物线模型 环境 反位缺陷 源强度 双空位 多普勒技术 深能级瞬态谱 单晶样品 正电子?
【项目承办单位】 武汉大学;
【项目负责人】 王柱;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 物理学
【科研经费】 37万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2002-12-16
    【申请截止时间】 2003-03-31
    【立项时间】 2004-01
    【完成时间】 2006-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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