| 【项目成果摘要】 |
该项目首次用电化学阳极腐蚀方法直接在硅片上制备了粒径形状可控,均匀、厚度可调的大面积单晶纳米硅薄膜,并成功地观察到硅纳米薄膜材料场发射效应。其开启电场与碳纳米管相当,在真空微电子领域具有潜在的应用前景。深入研究了这种纳米结构材料的形成机理、物理特性及其具有优良场发射性能的原因,充分显示其作为场发射阴极材料的优越性能。首次在纳米硅和多孔硅衬底上直接生长出准定向的ZnO纳米结构,并进行了场发射性能测试,获得了较低的开启电场和阈值电场,为ZnO平板显示器件与硅电路单片集成提供了途径。; |