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磷化镓为p型层的高亮度GaN基LED外延片结构设计与生长
磷化镓为p型层的高亮度GaN基LED外延片结构设计与生长
【项目名称】 磷化镓为p型层的高亮度GaN基LED外延片结构设计与生长
【项目编号】 50602018
【项目目标】
【项目关键词】 LED外延片 磷化镓 GaN p型 高亮度 p型掺杂 氮化 分布布拉格反射器 掺杂In 霍尔测量 氮化铟 衬底 掺杂体系 电学性能 外延膜 国内研究 表面形貌 第一性原理 发光性能 MOCVD生长技术 研究意见 GaN生长 LED应用 光致发光 晶体结构参数 空穴态 超软赝势 串电阻 器件 布拉格反射
【项目承办单位】 华南师范大学;
【项目负责人】 李述体;
【项目来源】 国家自然科学基金项目
【涉及学科】 无线电电子学
【科研经费】 24万
【所属大项目】
【项目参与研究人员】
    【项目参与研究机构】
    【项目成果摘要】
    【发布单位】 国家自然科学基金委员会
    【发布时间】 2005-12-30
    【申请截止时间】 2006-03-27
    【立项时间】 2007-01
    【完成时间】 2009-12
    【申请条件】
    【联系方式】
    【项目信息来源】 https://isis.nsfc.gov.cn/portal/proj_search.asp
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