| 【项目目标】 |
【研究目标】
结合实验和理论分析，研究清楚电荷俘获机理和存储机制，揭示CTM材料的微观结构与性能的关系，从物理层面揭示电输运过程对存储性能的影响。
【研究主要内容】
1.利用高分辨电子显微学（如HRTEM）和电子能量损失谱（EELS）等技术来表征单个纳米结构的晶体结构和电子结构，获得晶体结构与电子结构的关系。
2.利用原子力显微学（AFM）技术表征高k薄膜隧穿层和电荷俘获层的表面形貌，研究纳米晶粒的尺寸分布和对电荷俘获的影响。利用电场力显微镜（EFM）测量高k阻挡层的表面电势，估算电荷俘获中心密度，从而为隧穿层/电荷俘获层/阻挡层的优化设计提供试验参考。
3.利用拉曼光谱学手段测量电荷俘获层内的应力，定性给出内应力对电荷俘获中心密度的影响。
4.在不同温度（液氦温度到室温）下测量器件源-栅极的C-V及I-V曲线，研究电荷迁移和俘获的机理与过程及高k材料的稳定性（隧穿层高k氧化物因电荷转移造成还原，从而影响其稳定性）。
5.研究高k材料和复杂氧化物的介电调谐和电致电阻效应。通过电场实现对这些化合物的介电常数和电阻的调制，尤其是多电阻态的调控，为纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储器提供基础。 |