| 【项目目标】 |
【研究目标】
研制和优选出2－3种综合性能优异的新型电荷俘获层材料、隧穿介质和栅介质层材料、栅电极材料体系，并用于CTM器件的制备，为新型CTM电路研制提供材料基础；解释新材料的多值存储机理，并提高多值存储的存储特性。
【研究主要内容】
1.探索使用高k材料作为隧穿层，降低该层的EOT，减小电荷隧穿几率，提高存储的可靠性；对于多值存储，提高该层的k值，增加单位阈值电压变化所需的电荷数目，减小电荷数目涨落对阈值电压的影响，抑制电荷数目涨落对存储信息的影响。
2.研究特定组份的多元氧化物高k介质材料在高温（低于800 oC）退火后发生相分离并析出单元氧化物纳米晶的过程，研究退火时间及退火温度对纳米晶晶粒尺寸、在非晶基体中分布状态及分布密度的影响，研究纳米晶的能带结构对CTM器件电荷存储密度及失效行为的影响。
3.探索使用多层具有非晶介质包裹的氧化物纳米晶构造的复合电荷存储介质结构，考察退火温度及退火时间对各层介质微结构的影响、各层介质间的界面微结构以及复合介质层总体电荷存储性质的影响；研究新材料的多值存储特性及多值存储机理，并提高多值存储的存储特性。
4.研究多层复合介质材料中的复杂能带匹配问题和栅介质体系的优化设计；通过构造隧穿层、电荷存储陷阱层?009-01-21 |