| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.建立能制作各种黑硅材料的技术平台，掌握在不同辐照条件、气氛条件、离子注入条件及粉末条件下获得具有减反与广谱吸收特点的黑硅材料制备技术；
2.实现具有高减反和高吸收特点的纳米等离激元与有机/无机黑硅材料的结合；确定硫系掺杂物在黑硅禁带中引入中间子带的能级位置，揭示单晶、多晶黑硅材料能带弯曲与激光脉冲辐照条件和掺杂条件变化的原因，揭示微晶、非晶黑硅薄膜材料能带隙随制备条件而改变的内在规律；
3.掌握用电子束快速退火、热退火降低黑硅晶格损伤和缺陷态的原理和关键技术，确定各种黑硅的损伤阈值及缺陷态的激活能，为研制高效黑硅太阳能电池提供优质材料；
4.制备出在太阳光谱0.25—1.0μm范围内，光反射率<10%、光吸收率>85%，在1.0—2.5μm范围内，光反射率<15%、光吸收率>80%的黑硅材料，黑硅材料面积>10×10mm2，表面均匀性>70%。
5.通过本课题研究，建立我国黑硅加工技术平台，为黑硅材料的技术应用打下坚实的基础。发表SCI与EI收录论文约10篇，申请专利约4项，培养博/硕士生约6名。
【研究主要内容】
1.研究在不同激光脉冲辐照条件（如波长、脉宽、频率、能量、次数）下制备黑硅材料的技术，研究这些条件与微纳结构形状及减反射之间的内在关联；研究金属纳米?009-01-21 |