| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.对高频大功率化合物半导体器件中载流子输运的一些重要科学问题，如强场作用下电子的饱和漂移速度与速度过冲、受激热声子的发射与陨灭、缺陷态对载流子的散射、捕获及能态跃迁等问题有更深入的认识，发现一些新的物理现象，得到一些规律性结论；
2.揭示纳米尺度效应和器件结构特征对高频大功率器件性能的具体影响与内在物理作用机制，发展出若干种新型器件结构和新型器件工作原理；
3.以GaN和InP基器件为例，针对这些器件在高频大功率领域的应用，建立起一个高效的准确的考虑自热效应的直流模型，大信号模型以及噪声模型。将对器件在高频和高功率领域的应用起到指导作用，提供器件与电路的全局优化方案；
4.建立电磁场数值计算方法与半导体输运方程相结合的全波模拟平台，提供先进的并行数值技术，为本项目的其它课题提供理论基础。
【研究主要内容】
1.研究强场、高频、及温度场作用下的电子输运行为规律，电子和声子的能量交换关系，以及器件结构参数和非理想因素（如：缺陷态）对载流子输运特性的影响；
2.研究新型能带和微纳结构的器件物理问题，包括：维度对载流子的限制作用，新型异质结的构筑原理，和器件性能指标提升之间的制约关系等；针对高频大功率器件应用，发展新型器件结?009-01-21 |