| 【项目目标】 |
【研究目标】
1.分析沟道材料组分、应变、厚度与MOS界面对沟道载流子迁移率的影响，在化合物半导体载流子迁移率增强方面取得突破；
2.研制成功截止频率大于100GHz，工作电压低于1V的增强型化合物半导体n型与p型MOS原型器件；
3.设计并测试成功高速低功耗化合物半导体CMOS环形振荡电路，性能优于同等技术水平的硅基CMOS技术，建立化合物半导体CMOS电路工艺与设计平台。
【研究主要内容】
1.利用能带剪裁和应变工程提高电子、空穴迁移率，实现适于n型与p型MOS器件的化合物半导体材料生长、分析沟道材料组分、应变、厚度与MOS界面对沟道载流子迁移率的影响；
2.深入研究化合物半导体表面态及钝化机理，探索热力学稳定的高k栅介质材料并解决其等效氧化层厚度表征问题，提出新型金属栅结构；
3.研究纳米尺度化合物半导体MOS器件中的新物理现象和效应，建立MOS器件物理模型，提出适于化合物半导体的新型MOS器件结构；
4.化合物半导体CMOS器件关键工艺及电路集成技术的研究。 |