| 【项目名称】 |
硫属相变存储（C－RAM）芯片关键技术 |
| 【项目编号】 |
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| 【项目目标】 |
研究目标：以C－RAM芯片为研制目标，研究C－RAM所用到的金属半导体氧化物（CMOS）技术与相变存储阵列集成工艺，进行芯片设计改进和制造工艺优化，研制具有芯片存储性能的原型器件。
2006-08-17 |
| 【项目关键词】 |
硫属 RAM 存储芯片 相变 纳米材料 芯片 专题 器件 存储阵列 纳米加工技术 金属半导体 集成工艺 纳米相 存储性能 设计关键 芯片设计 CMOS 制造工艺 原型 氧化物 研究目标 |
| 【项目承办单位】 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所; |
| 【项目负责人】 |
宋志棠; |
| 【项目来源】 |
国家高技术研究发展计划(863计划)项目 |
| 【涉及学科】 |
计算机硬件技术 |
| 【科研经费】 |
300万 |
| 【所属大项目】 |
纳米材料与器件专题 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2006-08-17 |
| 【申请截止时间】 |
2006-09-20 |
| 【立项时间】 |
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| 【完成时间】 |
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| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.863.org.cn/863_105/applyguide/guide_general/200608180001.html |