| 【项目名称】 |
SiC单晶衬底制备 |
| 【项目编号】 |
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| 【项目目标】 |
研究目标：研究高质量n型SiC单晶的生长、切割和晶片加工技术。解决6H晶型SiC衬底（包括半绝缘和n型衬底）的制备：晶体直径≥2英寸，可使用面积＞80％；平均微管密度＜50个/cm2；n型衬底的电阻率＜0.1欧姆?厘米；半绝缘衬底的电阻率＞1×105欧姆?厘米；衬底表面的粗糙度＜5nm；XRD摇摆曲线FWHM＜3arcmin；衬底表面适合于GaN基LED的外延工艺要求。
2006-09-30 |
| 【项目关键词】 |
SiC单晶 半导体照明 衬底 半绝缘 晶片加工 电阻率 外延工艺 GaN基材料 制备 使用面积 高质量 n型Si FWHM 摇摆曲线 氮掺杂 生长技术 处理工艺 外延生长 微管 晶型 GaN 粗糙度 LED 规模化生产 切割 单晶 XRD 晶体 器件 直径 密度 研究目标 |
| 【项目承办单位】 |
山东大学; |
| 【项目负责人】 |
徐现刚; |
| 【项目来源】 |
国家高技术研究发展计划(863计划)项目 |
| 【涉及学科】 |
无线电电子学 |
| 【科研经费】 |
0 |
| 【所属大项目】 |
半导体照明工程 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2006-09-30 |
| 【申请截止时间】 |
2006-10-30 |
| 【立项时间】 |
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| 【完成时间】 |
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| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.most.gov.cn/tztg/200610/t20061025_36466.htm |