| 【项目名称】 |
新型衬底GaN基材料的外延技术 |
| 【项目编号】 |
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| 【项目目标】 |
研究目标：探索新型衬底制备工艺及其外延生长工艺，掌握新型衬底材料外延技术和图形衬底GaN材料制备技术，实现新型衬底的实用化，并获得拥有自主知识产权的专利技术。
2006-09-30 |
| 【项目关键词】 |
GaN基材料 外延技术 半导体照明 衬底 材料制备技术 GaN LED 非极性面 LiAl GaN衬底 衬底材料 专利技术 外延生长 图形 ZnO 和图 制备工艺 研究目标 制备 |
| 【项目承办单位】 |
中国科学院半导体研究所; |
| 【项目负责人】 |
曾一平; |
| 【项目来源】 |
国家高技术研究发展计划(863计划)项目 |
| 【涉及学科】 |
无线电电子学;电力工业 |
| 【科研经费】 |
0 |
| 【所属大项目】 |
半导体照明工程 |
| 【项目参与研究人员】 |
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| 【项目参与研究机构】 |
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| 【项目成果摘要】 |
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| 【发布单位】 |
科学技术部 |
| 【发布时间】 |
2006-09-30 |
| 【申请截止时间】 |
2006-10-30 |
| 【立项时间】 |
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| 【完成时间】 |
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| 【申请条件】 |
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| 【联系方式】 |
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| 【项目信息来源】 |
http://www.most.gov.cn/tztg/200610/t20061025_36466.htm |