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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 我国相变存储器的研究现状与发展前景 刘波;宋志棠;封松林; 微纳电子技术 2007 2 177
2 用于相变存储器的W亚微米管加热电极性能 冯高明;刘波;吴良才;宋志棠;封松林;陈宝明; 半导体学报 2007 1 34
3 一种高精度CMOS带隙基准电压源设计 沈菊;宋志棠;刘波;封松林;朱加兵; 半导体技术 2007 1 138
4 65nm工艺节点下的光刻掩模版优化算法 熊伟;张进宇;Tsai Min-Chun;王燕;余志平; 计算机辅助设计与图形学学报 2008 0 22
5 相变存储器驱动电路的设计与实现 沈菊;宋志棠;刘波;封松林; 半导体技术 2008 0 49
6 基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能 徐成;刘波;冯高明;吴良才;宋志棠;封松林;Bomy Chen; 功能材料与器件学报 2008 0 28
7 相变随机存储器材料与结构设计最新进展 刘波;宋志棠;封松林; 半导体技术 2008 0 62
8 Accurate and fast table look-up models for leakage current analysis in 65nm CMOS technology 薛冀颖;李涛;余志平; 半导体学报 2009 0 14
9 Trapped Electron and Hole Distribution Mismatch Induced Reliability Degradation of SONOS Type Memory Devices 史广建;潘立阳;孙磊;张志刚;许军; Tsinghua Science and Technology 2009 0 5
10 ILT Approach for Compensating 3-D Mask Effects 熊伟;张进宇;Min-Chun Tsai;王燕;余志平; Tsinghua Science and Technology 2009 0 3
11 考虑制程变异的全芯片漏电流统计分析 李涛;余志平; 清华大学学报(自然科学版) 2009 0 13