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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 半导体异质结二维电子气的磁输运特性研究 朱博 中国优秀博硕士学位论文全文数据库 (博士) 2006 0 82
2 Al组分对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气输运性质的影响(英文) 唐宁;沈波;王茂俊;杨志坚;徐科;张国义;桂永胜;朱博;郭少令;褚君浩; 半导体学报 2006 0 56
3 极化电场对Al_xGa_(1-x)N/GaN双量子阱中子带间跃迁的光学性质的影响(英文) 雷双英;沈波;许福军;杨志坚;徐柯;张国义; 半导体学报 2006 0 40
4 表面钝化前后Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN异质结势垒层应变的高温特性 张开骁;陈敦军;沈波;陶亚奇;吴小山;徐金;张荣;郑有; 物理学报 2006 0 73
5 Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应 朱博;桂永胜;周文政;商丽燕;郭少令;褚君浩;吕捷;唐宁;沈波;张福甲; 物理学报 2006 0 35
6 AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质 陶春旻;陶亚奇;陈诚;孔月婵;陈敦军;沈波;焦刚;陈堂胜;张荣;郑有炓; 半导体学报 2006 0 89
7 Al/AlN/Si MIS结构的电学性质 周春红;孔月婵;席冬娟;陈鹏;郑有炓; 固体电子学研究与进展 2006 0 32
8 蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 王保柱;王晓亮;王晓燕;王新华;郭伦春;肖红领;王军喜;刘宏新;曾一平;李晋闽; 半导体学报 2006 0 46
9 MOCVD生长的SiC衬底高迁移率GaN沟道层AlGaN/AlN/GaN HEMT结构(英文) 王晓亮;胡国新;马志勇;肖红领;王翠梅;罗卫军;刘新宇;陈晓娟;李建平;李晋闽;钱鹤;王占国; 半导体学报 2006 0 90
10 高响应度GaN紫外探测器 沙金,江若琏,周建军,刘杰,沈波,张荣,郑有炓 半导体光电 2003 2 95
11 RF-MBE生长的高Al势垒层AlGaN/GaN HEMT结构(英文) 王晓亮,王翠梅,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,冉军学,钱鹤,曾一平,李晋闽 半导体学报 2005 1 61
12 蓝宝石衬底上单晶InN外延膜的RFMBE生长 肖红领,王晓亮,张南红,王军喜,刘宏新,韩勤,曾一平,李晋闽 半导体学报 2005 1 80
13 缓冲层厚度对MOCVD法生长GaN外延薄膜性能的影响 吴洁君,韩修训,李杰民,黎大兵,魏宏远,康亭亭,王晓晖,刘祥林,王占国 人工晶体学报 2005 1 120
14 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件(英文) 王晓亮,刘新宇,胡国新,王军喜,马志勇,王翠梅,李建平,冉军学,郑英奎,钱鹤,曾一平,李晋闽 半导体学报 2005 3 72
15 f_(max)为100GHz的蓝宝石衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(英文) 李献杰,曾庆明,周州,刘玉贵,乔树允,蔡道民,赵永林,蔡树军 半导体学报 2005 0 47