| 序号 |
题名 |
作者 |
文献来源 |
发表年份 |
被引频次 |
下载频次 |
| 1 |
一种在砷化镓上形成欧姆接触的新型六层金属系统(英文) |
李海鸥;尹军舰;张海英;和致经;叶甜春; |
电子器件 |
2006 |
1 |
34 |
| 2 |
双层InGaAs沟道InP HEMT |
尹军舰;陈立强;汪宁;张海英;刘训春;牛洁斌; |
电子器件 |
2006 |
0 |
38 |
| 3 |
一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型 |
李潇;刘亮;张海英;尹军舰;李海鸥;叶甜春;龚敏; |
物理学报 |
2006 |
1 |
30 |
| 4 |
一种极低噪声高增益微波单片低噪声放大器(英文) |
黄华;张海英;杨浩;尹军舰;朱旻;叶甜春; |
半导体学报 |
2006 |
0 |
107 |
| 5 |
增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取(英文) |
徐静波;尹军舰;张海英;李潇;刘亮;叶甜春; |
半导体学报 |
2007 |
0 |
43 |
| 6 |
面向5GHz无线应用的单片InGaP/GaAs HBT压控振荡器(英文) |
陈立强;张健;李志强;陈普锋;张海英; |
半导体学报 |
2007 |
0 |
40 |
| 7 |
一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器 |
黄华;张海英;杨浩;尹军舰;叶甜春; |
电子器件 |
2007 |
0 |
66 |
| 8 |
磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管击穿特性研究 |
李潇;张海英;尹军舰;刘亮;徐静波;黎明;叶甜春;龚敏; |
物理学报 |
2007 |
0 |
43 |
| 9 |
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管 |
徐静波;张海英;尹军舰;刘亮;李潇;叶甜春;黎明; |
半导体学报 |
2007 |
0 |
33 |
| 10 |
锯齿型源漏结构的新型InP基HEMT器件(英文) |
张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明 |
半导体学报 |
2005 |
0 |
23 |
| 11 |
InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究 |
李潇,张海英,李海鸥,尹军舰,刘亮,陈立强 |
半导体技术 |
2005 |
0 |
32 |
| 12 |
GaAs基单片集成InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMTs(英文) |
李海鸥;张海英;尹军舰;叶甜春; |
半导体学报 |
2005 |
2 |
20 |
| 13 |
截止频率为120GHz的晶格匹配InP基HEMT(英文) |
陈立强,张海英,尹军舰,钱鹤,牛洁斌 |
半导体学报 |
2005 |
0 |
16 |
| 14 |
一种可编程的2·4GHz CMOS多模分频器(英文) |
李志强;陈立强;张健;张海英; |
半导体学报 |
2008 |
0 |
84 |
| 15 |
基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器(英文) |
张健;李志强;陈立强;陈普峰;张海英; |
半导体学报 |
2008 |
0 |
27 |