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2
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题名
作者
文献来源
发表年份
被引频次
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1
SiGe/Si HBT低频噪声特性研究
张万荣;高攀;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;
微电子学
2006
2
56
2
SiGe/Si HBT高频噪声特性研究
张万荣;邱建军;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;
微电子学
2006
4
63
3
射频功率HBT自加热效应及补偿方法
金冬月;张万荣;吴春瑜;
微电子学
2006
0
34
4
微波功率SiGe HBT研究进展
张万荣;张蔚;金冬月;谢红云;肖盈;王扬;李佳;沈佩;
微电子学
2006
0
60
5
多发射极条功率SiGe HBT的热电耦合与优化设计
张万荣;何莉剑;谢红云;杨经伟;金冬月;肖盈;沙永萍;王扬;张蔚;
微电子学
2006
0
36
6
版图尺寸对SiGe/Si HBT高频噪声特性的影响
张万荣;沙永萍;谢红云;刘颖;张静;张正元;刘伦才;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;
微电子学
2006
0
32
7
功率SiGe/Si HBT的温度特性
张万荣;王扬;金冬月;谢红云;肖盈;何莉剑;沙永萍;张蔚;
微电子学
2006
0
49
8
射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法
金冬月;张万荣;谢红云;邱建军;王扬;
电子器件
2006
0
31
9
SiGe HBT高频噪声特性研究
高攀;张万荣;谢红云;邱建军;沙永萍;金冬月;张静;张正元;刘道广;王健安;徐学良;陈光炳;
半导体技术
2007
1
48
10
等效器件补偿法提高功率放大器的线性
何莉剑;张万荣;谢红云;张蔚;
半导体技术
2007
0
38
11
SiGe HBT低频噪声PSPICE模拟分析
沙永萍;张万荣;
半导体技术
2008
0
70
12
射频功率HBT热稳定性分析及镇流电阻优化
金冬月;张万荣;谢红云;沈珮;王扬;
北京工业大学学报
2008
0
31
13
多发射极指分段结构功率SiGe HBT的热分析
王扬;张万荣;谢红云;金冬月;邱建军;
微电子学
2008
0
30
14
射频E类功率放大器并联电容技术研究
甘军宁;张万荣;谢红云;何莉剑;李佳;沈珮;
半导体技术
2008
0
51
15
基于SiGe HBT的超宽带低噪声放大器的设计
张蔚;张万荣;谢红云;金冬月;何莉剑;王扬;沙永萍;
微电子学
2008
0
69