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1 截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)/GaAs的熔体外延生长及特性研究 高玉竹;龚秀英;陈涌海;吴俊; 光电子.激光 2007 0 56
2 熔体外延法生长的截止波长12μm的InAs_(0.04)Sb_(0.96)的电学性质 高玉竹,龚秀英,梁骏吾,桂永胜,山口十六夫 光电子.激光 2005 0 20
3 用熔体外延法生长的截止波长10μm以上的InAsSb单晶 高玉竹,龚秀英,方维政,徐非凡,吴俊,戴宁 红外与毫米波学报 2004 0 22