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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 InN薄膜的退火特性 谢自力;张荣;修向前;毕朝霞;刘斌;濮林;陈敦军;韩平;顾书林;江若琏;朱顺明;赵红;施毅;郑有炓; 半导体学报 2006 0 60
2 In_2O_3纳米线制备及其特性 谢自力;张荣;高超;刘斌;李亮;修向前;朱顺明;顾书林;韩平;江若琏;施毅;郑有炓; 半导体学报 2006 1 63
3 InN薄膜的氧化特性研究 谢自力;张荣;修向前;刘斌;朱顺明;赵红;濮林;韩平;江若琏;施毅;郑有炓; 物理学报 2007 0 60
4 界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响 周建军;江若琏;姬小利;谢自立;韩平;张荣;郑有炓; 半导体学报 2007 0 87
5 InGaN太阳电池转换效率的理论计算 文博;周建军;江若琏;谢自力;陈敦军;姬小利;韩平;张荣;郑有炓; 半导体学报 2007 0 92
6 GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化 符凯;张禹;陈敦军;韩平;谢自力;张荣; 稀有金属 2008 0 116
7 The growth temperatures dependence of optical and electrical properties of InN films - Science in China(Series G:Physics,Mechanics & Astronomy) 2008 0 12
8 MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象 徐峰;陈敦军;张荣;谢自力;刘斌;刘启佳;江若涟;郑有阧; 发光学报 2008 0 17