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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 介电常数的修正对半导体异质结中杂质态结合能的影响 李永治;班士良; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2006 0 27
2 压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响 温淑敏;班士良; 半导体学报 2007 0 21
3 双势垒中类氢杂质位置变化对量子隧穿的影响 武维;班士良;贾秀敏; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2007 0 17
4 电子-空穴气屏蔽影响下有限深量子阱中电子与空穴的本征态 哈斯花;班士良; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2007 0 21
5 流体静压力下应变闪锌矿(111)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的结合能(英文) 哈斯花;班士良; 半导体学报 2008 0 49
6 应变闪锌矿(001)取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 哈斯花;班士良; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2008 0 21
7 光学声子散射对纤锌矿AlN/GaN异质结中电子迁移率的影响 周晓娟;班士良; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2008 0 35
8 压力下应变异质结中施主杂质态的Stark效应 张敏;班士良; 物理学报 2008 0 10
9 流体静压力下磁场对半导体异质结中束缚极化子的影响(英文) 王树涛;班士良;张敏; 内蒙古大学学报(自然科学版) 2008 0 6
10 Temperature effects on interface polarons in a strained(111)-oriented zinc-blende GaN/AlGaN heterojunction under pressure 张敏;班士良; 半导体学报 2009 0 18