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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 3C-SiC的能带结构和光学函数的第一性原理计算 徐彭寿;谢长坤;潘海斌;徐法强; 中国科学技术大学学报 2006 0 118
2 Si(001)表面分子束外延生长的小尺寸Ge量子点 王科范;刘金锋;刘忠良;徐彭寿;韦世强; 物理化学学报 2007 1 78
3 6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性 刘金锋;刘忠良;任鹏;徐彭寿;陈秀芳;徐现刚; 物理化学学报 2008 0 42
4 硅碳比对Si(111)表面SSMBE异质外延SiC薄膜的影响 刘忠良;任鹏;刘金锋;徐彭寿; 无机材料学报 2008 0 29
5 预沉积Ge对Si(111)衬底上SSMBE外延生长SiC薄膜的影响 刘忠良;任鹏;刘金锋;唐军;徐彭寿; 物理化学学报 2008 0 18
6 3C-SiC/Si(111)的掠入射X射线衍射研究 刘忠良;刘金锋;任鹏;李锐鹏;徐彭寿;潘国强; 无机材料学报 2008 0 59
7 衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响 刘金锋;刘忠良;武煜宇;徐彭寿;汤洪高; 无机材料学报 2007 2 51