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序号 题名 作者 文献来源 发表年份 被引频次 下载频次
1 基于LED应用的分布布拉格反射器研究进展 郑树文;范广涵;章勇;李述体;孙惠卿; 激光与光电子学进展 2006 1 93
2 氮化铟p型掺杂的第一性原理研究 丁少锋;范广涵;李述体;肖冰; 物理学报 2007 3 195
3 氮化衬底对MOCVD生长GaN的影响 李述体;范广涵;周天明;孙慧卿;郑树文; 华南师范大学学报(自然科学版) 2007 0 126
4 N掺杂p-型ZnO的第一性原理计算 陈琨;范广涵;章勇;丁少锋; 物理化学学报 2008 1 500
5 Mn掺杂ZnO光学特性的第一性原理计算 陈琨;范广涵;章勇; 物理学报 2008 0 433
6 In-N共掺杂ZnO第一性原理计算 陈琨;范广涵;章勇;丁少锋; 物理学报 2008 0 182
7 CdO及Cd_xZn_(1-x)O化合物的结构、能量和电子性能分析 孙慧卿;丁少锋;王雨田;邓贝;范广涵; 物理化学学报 2008 0 42
8 Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质 邢海英;范广涵;周天明;李述体;丁少锋;孙慧卿;董海平; 物理化学学报 2008 0 91
9 Mn掺杂GaN电子结构和光学性质研究 邢海英;范广涵;赵德刚;何苗;章勇;周天明; 物理学报 2008 0 102
10 InN材料及器件的最新研究进展 丁少锋;范广涵;李述体;郑树文;陈琨; 材料导报 2007 0 139
11 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN 邢海英;范广涵;章勇;赵德刚; 物理学报 2009 0 216
12 Improved optical performance of GaN grown on pattered sapphire substrate 姚光锐;范广涵;李述体;章勇;周天民; 半导体学报 2009 0 47
13 p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质 邢海英;范广涵;周天明; 物理学报 2009 0 29