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序号	题名	作者	文献来源	发表年份	被引频次	下载频次
1	InN薄膜的氧化特性研究	谢自力;张荣;修向前;刘斌;朱顺明;赵红;濮林;韩平;江若琏;施毅;郑有炓;	物理学报	2007	0	60
2	界面极化效应对Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结pin探测器光电响应的影响	周建军;江若琏;姬小利;谢自立;韩平;张荣;郑有炓;	半导体学报	2007	0	87
3	一维AlN纳米结构制备进展	童麟;谢自力;修向前;张琦;聂超;刘斌;张荣;	微纳电子技术	2007	0	142
4	GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化	符凯;张禹;陈敦军;韩平;谢自力;张荣;	稀有金属	2008	0	116
5	4H-SiC欧姆接触与测试方法研究	陈刚;柏松;李哲阳;韩平;	固体电子学研究与进展	2008	0	46
6	Al_xGa_(1-x)N/AlN超晶格材料特性研究	谢自力;张荣;江若琏;刘斌;龚海梅;赵红;修向前;韩平;施毅;郑有炓;	功能材料	2008	0	43
7	阴极荧光联合分析系统在III族氮化物研究中的应用	赵红;张荣;谢自力;刘斌;修向前;陆海;李亮;刘战辉;江若琏;韩平;郑有炓;	半导体学报	2008	0	29
8	Carrier transport and luminescence properties of n-type GaN	-	Science in China(Series G:Physics,Mechanics & Astronomy)	2008	0	9
9	两步法生长氮化铝中缓冲层和外延层工艺研究	刘启佳;张荣;谢自力;刘斌;徐峰;姚靖;聂超;修向前;韩平;郑有炓;龚海梅;	中国科学(E辑:技术科学)	2008	0	43
10	n型GaN薄膜输运性质与发光研究	张曾;张荣;谢自力;刘斌;修向前;江若琏;韩平;顾书林;施毅;郑有炓;	中国科学(G辑:物理学力学天文学)	2008	0	55
11	Mg掺杂AlGaN的特性研究	吴超;谢自力;张荣;张曾;刘斌;刘启佳;聂超;李弋;韩平;陈鹏;陆海;郑有炓;	微纳电子技术	2008	0	21
12	MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象	徐峰;陈敦军;张荣;谢自力;刘斌;刘启佳;江若涟;郑有阧;	发光学报	2008	0	17
13	m面GaN平面内结构和光学各向异性研究	吴超;谢自力;张荣;张曾;刘斌;李弋;傅德颐;修向前;韩平;施毅;郑有炓;	物理学报	2008	0	19
14	薄膜材料研究中的XRD技术	周元俊;谢自力;张荣;刘斌;李弋;张曾;傅德颐;修向前;韩平;顾书林;郑有炓;	微纳电子技术	2009	0	314
15	Chemical mechanical polishing of freestanding GaN substrates	颜怀跃;修向前;刘战辉;张荣;华雪梅;谢自力;韩平;施毅;郑有炓;	半导体学报	2009	0	28

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