杨文伟
【姓名】 杨文伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;计算机硬件技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 埋层,碳化硅,LDMOS,氧化铪,离子束合成,自加热效应,浮体效应,图形化,SOI材料,碳离子注入,甲烷,等离子体,离子注入,功率器件,LDMOS功率,结构研究,图形化SOI技术,射频功率器件,增益,...
【工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
【所在地域】 上海
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[1]程新红;杨文伟;宋朝瑞;俞跃辉;姜丽娟;王芳;.SOI LDMOS功率器件的研究与制备[J]微处理机.2007,(02)
[2]邢玉梅,俞跃辉,林梓鑫,宋朝瑞,杨文伟.高温碳离子注入形成碳化硅埋层的结构研究[J]功能材料与器件学报.2004,(03)
[3]程新红,杨文伟,宋朝瑞,俞跃辉,沈达升.新型图形化 SOI LDMOS结构的性能分析(英文)[J]半导体学报.2004,(12)
[4]邢玉梅,陶凯,俞跃辉,郑志宏,杨文伟,宋朝瑞,沈达身.在SOI材料上制备高质量的氧化铪薄膜[J]功能材料.2004,(06)
[5]邢玉梅,俞跃辉,陈可炜,郑志宏,杨文伟.CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺[J]压电与声光.2005,(03)
[6]程新红,宋朝瑞,杨文伟,俞跃辉.高性能图形化SOI功率器件的研制[J]功能材料与器件学报.2005,(03)
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