孙剑
【姓名】 孙剑
【职称】
【研究领域】 物理学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 a－Si,隙态密度,光致发光谱,C－V,薄膜晶体管,隙态,深能级,密度增加,悬挂键,发光强度,绝缘层,非晶硅,悬挂键密度,界面态,无辐射复合,带尾态,体材料,载流,空间电荷区,氮含量,
【工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所;
【所在地域】
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[1]胡宇飞，孙剑，钟伯强，黄慈祥，潘惠英.薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究[J]无机材料学报.1996,(01)
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