钱国兴
【姓名】 钱国兴
【职称】
【研究领域】 化学;物理学;无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 温度传感器,表面波,晶体表面,基底材料,延迟线型,四硼酸锂晶体,锗酸铋,叉指换能器,表面波速度,振子,器件,GdCOB晶体,延迟温度系数,声表面波,垂直Bridgman法,PZN-PT晶体,反射阵,压...
【工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所;
【所在地域】 上海
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[1]童健;侍敏丽;钱国兴;徐家跃;.新型弛豫铁电单晶PMNT的生长研究[J]材料导报.2004,(04)
[2]钟真武,罗军,范世,钱国兴,林雅芳,孙仁英.GdCOB晶体的坩埚下降法生长[J]人工晶体学报.2000,(04)
[3]范世,孙仁英,林雅芳,钱国兴.PZN-PT晶体熔剂生长的相关系及生长形态[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[4]钟真武,罗军,范世,钱国兴.GdCa_4O(BO_3)_3晶体的Bridgman法生长条件探索[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[5]孙仁英,范世,林雅芳,钱国兴.PZN-PT晶体从各种熔剂中生长[J]人工晶体学报.2000,(S1)
[6]徐家跃,费一汀,钱国兴.四硼酸锂晶体的声表面波应用[J]压电与声光.1998,(05)
[7]潘金才,钱国兴.晶体表面波温度传感器[J]声学技术.1983,(04)
[8]潘金才,钱国兴.锗酸铋(Bi_(12)GeO_(20))表面波温度传感器[J]物理.1985,(02)
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