葛其明
【姓名】 葛其明
【职称】 工程师;
【研究领域】 无机化工;无线电电子学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 氮化硅基复合材料,碳化硅粒子,显微结构,烧结技术,氮化硅陶瓷,氮化硅,反应,固溶,力学性能,耐火级,氮化硅基,无压烧结,粉末,增韧补强,氧氨化硅,氯化硅,第二相粒子,弥散强化,球磨,LPCVD,SiN...
【工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所
【曾工作单位】 中国科学院上海硅酸盐研究所;
【所在地域】 上海
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[1]葛其明;刘学建;黄智勇;黄莉萍;.LPCVD氮化硅薄膜的化学组成[J]材料科学与工程学报.2006,(02)
[2]葛其明,刘学建,黄智勇,蒲锡鹏,黄莉萍.SiH_4-NH_3-N_2体系LPCVD氮化硅薄膜的生长动力学[J]电子元件与材料.2003,(10)
[3]孙兴伟,刘学建,葛其明,黄莉萍.(TiB_2,TiN)-Si_3N_4基复合材料的性能及显微结构[J]硅酸盐学报.2000,(01)
[4]徐鑫,黄莉萍,葛其明,符锡仁.耐火级氮化硅粉末的球磨特性[J]陶瓷工程.2000,(01)
[5]徐鑫,黄莉萍,葛其明,符锡仁.无压烧结制备氧氮化硅陶瓷[J]无机材料学报.2001,(01)
[6]黄莉萍,陈源,孙兴伟,葛其明.粒子弥散强化氮化硅基陶瓷[J]上海化工.1996,(05)
[7]葛其明,陈源,董良金,黄莉萍.烧结技术与氯化硅陶瓷显微结构研究[J]陶瓷学报.1997,(02)
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