聂卫东
【姓名】 聂卫东
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 LPCVD放大倍数,发射极电阻,硅双极晶体管,多晶硅发射极,多晶硅,多晶硅发射极技术,淀积条件,发射区,样片,硅发射极,电流增益,单晶硅,多晶,等待时间,空穴,势垒,前处理方法,氧化层,隧穿几率,接触...
【工作单位】 中国华晶电子集团双极电路总厂
【曾工作单位】 中国华晶电子集团双极电路总厂;
【所在地域】 无锡
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/1 0 0 1 0 76
中国期刊全文数据库    共找到1篇
[1]聂卫东,梅海军,范建超,孔德义.掺杂多晶硅发射极技术研究[J]微电子技术.1998,(03)
更多