居水荣
【姓名】 居水荣
【职称】 工程师;
【研究领域】 无线电电子学;计算机硬件技术;电信技术;
【研究方向】
【发表文献关键词】 MC68,微控制器,LCD,软核,标准单元,设计流程,VHDL,正向设计,结构,ASIC,电路综合,指令,高频电路,最长路径,加法器,压点个数,测试矢量,用户定制,布局布线,电源,走向,地,分布,时钟...
【工作单位】 中国华晶电子集团MOS电路总厂
【曾工作单位】 中国华晶电子集团MOS电路总厂;
【所在地域】 江苏无锡
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[1]居水荣.亚微米ASIC正向设计中的时钟考虑[J]半导体技术.2000,(02)
[2]居水荣.3V/5V标准单元混合使用的芯片设计[J]半导体情报.2000,(02)
[3]居水荣,袁敏民.0.9μmASIC正向设计中DDB的产生及验证[J]微电子技术.2000,(02)
[4]居水荣,陈育人.0.9μmASIC正向设计中的版图数据格式及库的混合使用[J]微电子技术.2000,(02)
[5]居水荣,郑明.0.9μmASIC正向设计中的总体仿真及测试矢量产生[J]微电子技术.2000,(02)
[6]居水荣,郑明.与MC68HC05兼容的八位微控制器的软核[J]固体电子学研究与进展.1999,(01)
[7]居水荣,孙义和,邱晓海.一种大规模高频率ASIC的正向设计[J]微电子学.1999,(04)
[8]居水荣.亚微米ASIC正向设计中的电源及地考虑[J]半导体杂志.1999,(04)
[9]居水荣,毛成烈,徐兴明,邵汇青.基于0.9μm标准单元的高层次正向设计实例[J]微电子技术.1999,(04)
[10]居水荣,郑明.一种8位微机芯片的CPU内核[J]微电子技术.1999,(05)
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