王英民
【姓名】 王英民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 绝缘体上硅(SOI),总剂量辐照效应,环栅结构,H型栅结构,部分耗尽,晶体管,阈值电压漂移,漏电流,辐照剂量,辐照偏置,电荷密度,拟合计算,空穴俘获,背栅,置状态,器件,特性曲线,改性,制备,函数关系,
【工作单位】 中国航天时代电子公司
【曾工作单位】 中国航天时代电子公司;
【所在地域】 西安
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[1]钱聪;张恩霞;贺威;张正选;张峰;林成鲁;王英民;王小荷;赵桂茹;恩云飞;罗宏伟;师谦;.不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究[J]功能材料与器件学报.2006,(04)
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