蔡振波
【姓名】 蔡振波
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 辐射敏感,PMOS,阈值电压漂移,MOS管,X轴,阈值电压,击穿特性,MEMS,栅氧化,敏度,中心值,粒子辐射,铝栅工艺,界面态,输出特性,行器,漏击穿,不同沟道长度,空间辐射环境,图形,
【工作单位】 中国航天工业部第五研究院
【曾工作单位】 中国航天工业部第五研究院;
【所在地域】
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[1]陈德英,蔡振波,姜岩峰,张旭,王成,樊路嘉.辐射敏感PMOS管的研制[J]电子器件.2002,(04)
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