余山
【姓名】 余山
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 VLSI工艺、亚微米和深亚微米器件物理、ASIC设计和制造、容错计算系统的设计、以及计算机辅助电路、器件和工艺模拟等方面的科研工作
【发表文献关键词】 浅结,亚微米LDD器件,模拟,离子注入,浅结工艺,衬底电流,器件可靠性,注入剂量,CMOS集成电路,薄层电阻率,0.5μm,结深,CMOS,注入能量,PMOS,可靠性,NMOS,沟道效应,电场,结漏,...
【工作单位】 中国航天工业部第二研究院
【曾工作单位】 中国航天工业部第二研究院;
【所在地域】 北京
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[1]余山,章定康,黄敞.0.8μm CMOS LDD器件可靠性实验和分析[J]电子科学学刊.1994,(04)
[2]余山,章定康,黄敞.浅结工艺研究及其在0.5μmCMOS集成电路中的应用[J]固体电子学研究与进展.1993,(04)
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