胡会能
【姓名】 胡会能
【职称】
【研究领域】 材料科学;金属学及金属工艺;
【研究方向】
【发表文献关键词】 金属间化合物,Kirkendall效应,失效机理,层厚度,失效模式,合点,致命失效,洞形,杂质元素,半导体器件,可伐,系统失效,影响因素,IEEE,影响研究,互扩散,研究进展,化合物形成,键合性能,文...
【工作单位】 中国航空航天工业部第七零三研究所
【曾工作单位】 中国航空航天工业部第七零三研究所;
【所在地域】
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[1]胡会能,吴廉亿,雷祖圣.半导体器件中Au-Al键合失效机理及影响因素研究进展[J]宇航材料工艺.1991,(06)
[2]胡会能,吴廉亿,雷祖圣.Au-Al键合系统失效机理及金层厚度对失效模式的影响研究[J]宇航材料工艺.1993,(01)
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