孙正地
【姓名】 孙正地
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Bi-CMOS,杂质分布,双极型晶体管,基区,CMOS工艺,电流增益,发射区,晶体管,双极器件,集电区,横向基,离子注入,双极型,兼容型,结深,杂质浓度,体电流,高性能,CMOS,器件结构,
【工作单位】 中国航空航天工业部第六九一厂
【曾工作单位】 中国航空航天工业部第六九一厂;
【所在地域】
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[1]林长贵,黄宗林,孙正地.Bi-CMOS双极型晶体管的研制[J]固体电子学研究与进展.1990,(04)
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