薛佳伟
【姓名】 薛佳伟
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 硅单晶,中子辐照,电阻率,CZ硅,原始值,电阻率变化,辐照缺陷,热处理,单晶,氮气气氛,掺锗硅,硅晶格,辐照损伤,本分解,电阻率值,空位型缺陷,禁带,科技集团,本原理,间隙原子,
【工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所;
【所在地域】 天津
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[1]薛佳伟;赵权;杨洪星;.MEMS用低应力硅片的研制[J]天津科技.2008,(02)
[2]张继荣,薛佳伟,佟丽英.中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化[J]半导体技术.2005,(03)
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