任殿胜
【姓名】 任殿胜
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;化学;材料科学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 Ni－ZrO_2复合镀层,析氢,轨道相互作用,表面硫钝化,复合镀层,光荧光谱,GaAs,发光效率,光激发,X射,紫外,电催化,线光,GaAs表面,界面结构,砷化镓,XPS研究,电子能谱,表面氧化,S钝...
【工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所;
【所在地域】 天津
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[1]李静,任殿胜,李光平,严如岳,汝琼娜,董颜辉.Na_2S钝化的GaAs表面光荧光特性的研究[J]现代仪器.2003,(04)
[2]李雨辰,任殿胜.利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应[J]现代仪器.2005,(03)
[3]王为,郭鹤桐,高建平,覃奇贤,任殿胜.Ni—ZrO_2复合镀层中界面轨道相互作用及析氢反应[J]材料研究学报.1997,(02)
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中国重要会议全文数据库    共找到1篇
[1]李岩松;严如岳;任殿胜;.SiNxOy薄膜C-V特性研究[A].第五届华北、东北地区理化会议论文集.1993-09-01
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