郭小兵
【姓名】 郭小兵
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 半导体材料与器件关系方面的研究
【发表文献关键词】 MESFET器件,深能级,光敏特性,半绝缘,砷化镓,带边吸收,离化率,光照条件,光条件,砷化镓材料,光电流,MESFET,噪声系数,离子注入,光生载流子,能级相关,砷化镓衬底,小器件,衬底材料,I-V...
【工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第四十六研究所;
【所在地域】 天津
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[1]郭小兵,周智慧,胡恺生,张绵.半绝缘砷化镓及其MESFET器件光敏特性研究[J]半导体情报.2000,(04)
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