周晓龙
【姓名】 周晓龙
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;物理学;化学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 InP单晶,磷化铟,位错密度,单晶,生长研究,孪晶,大直径单晶,n型,科技集团,载流子浓度,GDMS,晶体直径,晶片,半绝缘,单晶生长,InP基,中国电子,肩角,成晶,掺杂剂,
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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中国期刊全文数据库    共找到4篇
[1]周晓龙;杨克武;杨瑞霞;孙同年;孙聂枫;.大直径InP单晶生长研究[J]半导体技术.2009,(04)
[2]高海凤;杨瑞霞;杨帆;孙聂枫;周晓龙;.磷化铟晶体合成生长研究现状[J]电子工艺技术.2010,(03)
[3]骆新江;杨瑞霞;吴景峰;周晓龙;姜霞;.2W6～18GHz宽带MMIC功率放大器[J]固体电子学研究与进展.2008,(04)
[4]徐永强,李贤臣,孙聂枫,杨光耀,周晓龙,谢德良,刘二海,孙同年.Φ100mm掺硫InP单晶生长研究[J]半导体技术.2004,(03)
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中国重要会议全文数据库    共找到3篇
[1]周晓龙;杨克武;杨瑞霞;孙聂枫;孙同年;.LEC法生长大尺寸InP单晶[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16
[2]孙聂枫;毛陆虹;郭维廉;吴霞宛;杨瑞霞;周晓龙;孙同年;.磷注入法合成磷化铟[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
[3]骆新江;杨瑞霞;吴景峰;姜霞;周晓龙;刘岳巍;.FET阻性混频器设计原理[A].2008中国仪器仪表与测控技术进展大会论文集（Ⅰ）.2008-06-01
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