张利民
【姓名】 张利民
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 化合物半导体器件制造工艺技术研究
【发表文献关键词】 MESFET,GaAs,GaAs表面,击穿电压,PECVD,势垒,肖特基,欧姆接触,As元素,合金,As2O3,氧化层,科技集团,氧化物的混合物,中国电子,栅宽,表面处理,石家庄,处理表,表面分析,
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]李云,张利民,李岚,张绵.GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响[J]半导体技术.2004,(12)
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