谢德良
【姓名】 谢德良
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 富磷,原位磷注入合成,InP单晶,InP晶体,熔体化学计量比,磷化铟,扫描光荧光谱,液封直拉法,位错密度,熔体,单晶,化学计量比,晶体生长,生长研究,孪晶,化学配比,半绝缘,高压单晶炉,大直径单晶,非...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]周晓龙,安娜,孙聂枫,徐永强,杨光耀,谢德良,刘二海,李光平,周智慧,董彦辉,孙同年.富磷熔体中生长的φ100 mm掺硫InP单晶研究[J]固体电子学研究与进展.2004,(01)
[2]徐永强,李贤臣,孙聂枫,杨光耀,周晓龙,谢德良,刘二海,孙同年.Φ100mm掺硫InP单晶生长研究[J]半导体技术.2004,(03)
[3]孙聂枫,陈旭东,杨光耀,赵有文,谢德良,刘二海,刘思林,孙同年.不同熔体配比的InP分析研究[J]半导体情报.1999,(04)
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