魏碧华
【姓名】 魏碧华
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;电力工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 背面金属化,两步抛光,铜,黏附性,ULSI,多层布线,金属化,剪切力,阻挡层,管芯,铜布线,数字IC,高集成度,批量生产,基本项目,成本因素,全局平面化,高密度,器件可靠性,化学作用,机械作用,可靠性...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[7]孙艳玲;许春良;樊渝;魏碧华;.2～4 GHz MMIC低噪声放大器[J]半导体技术.2014,(10)
[8]王弘英,刘玉岭,郝景晨,魏碧华.ULSI制备中铜布线的两步抛光技术[J]半导体学报.2003,(04)
[9]韩建栋,李振京,魏碧华,姜鹏,刘春丽.适合批量生产的GaAs数字IC背面金属化工艺[J]半导体技术.2005,(04)
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