孙同年
【姓名】 孙同年
【职称】
【研究领域】 化学;无线电电子学;无机化工;
【研究方向】
【发表文献关键词】 富磷,原位磷注入合成,InP单晶,InP晶体,熔体化学计量比,磷化铟,扫描光荧光谱,液封直拉法,位错密度,熔体,单晶,化学计量比,晶体生长,生长研究,孪晶,化学配比,半绝缘,高压单晶炉,大直径单晶,非...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
今年新增/文献篇数 核心期刊论文数 基金论文数 第一作者篇数 总被引频次 总下载频次
0/71 16 11 0 64 2702
中国期刊全文数据库    共找到18篇
[1]马春雷;邵会民;王阳;王书杰;康永;刘惠生;孙同年;孙聂枫;.6英寸低位错InP单晶生长研究[J]半导体技术.2023,(08)
[2]姜剑;孙聂枫;孙同年;王书杰;邵会民;刘惠生;.InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化[J]半导体技术.2021,(08)
[3]周瑞;王书杰;孙聂枫;陈春梅;邵会民;刘惠生;孙同年;.太阳电池用多晶硅铸锭中非金属夹杂物的研究进展[J]半导体技术.2020,(08)
[4]邵会民;孙聂枫;张晓丹;王书杰;刘惠生;孙同年;康永;.LEC法生长高质量6英寸InP单晶[J]半导体技术.2020,(08)
[5]付莉杰;张晓丹;张鑫;康永;王书杰;刘惠生;孙同年;孙聂枫;.高纯InP多晶的合成技术[J]半导体技术.2020,(09)
[6]梁仁和;曾周末;孙聂枫;王书杰;孙同年;.InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析[J]仪器仪表学报.2018,(11)
[7]王昊宇;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;田树盛;陈春梅;孙士文;刘惠生;孙同年;.液封直拉富铟InP中铟夹杂的纵向和横向分布[J]微纳电子技术.2019,(05)
[8]韩应宽;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年;.富铟熔体生长InP单晶的晶体缺陷及物理特性[J]半导体技术.2016,(12)
[9]杨瑞霞;韩应宽;孙聂枫;王书杰;王阳;李晓岚;孙同年;.非配比InP材料研究进展[J]半导体技术.2016,(12)
[10]李玉茹;李晓岚;孙同年;孙聂枫;.LEC-InP晶体中孪晶现象的研究[J]半导体技术.2015,(04)
更多
中国重要会议全文数据库    共找到4篇
[1]周晓龙;杨克武;杨瑞霞;孙聂枫;孙同年;.LEC法生长大尺寸InP单晶[A].2010’全国半导体器件技术研讨会论文集.2010-07-16
[2]黄清芳;李晓岚;李帅;杨建业;邵会民;史艳磊;王阳;刘惠生;孙同年;孙聂枫;.LEC法生长4英寸InP单晶的放肩技术研究[A].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用.2012-10-21
[3]王阳;杨瑞霞;杨帆;刘志国;李晓岚;康永;张鑫;李宁;孙同年;孙聂枫;.磷化铟材料的热稳定性研究[A].第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用.2012-10-21
[4]孙聂枫;毛陆虹;郭维廉;吴霞宛;杨瑞霞;周晓龙;孙同年;.磷注入法合成磷化铟[A].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008-07-27
更多