芮振璞
【姓名】 芮振璞
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】
【发表文献关键词】 沟道δSi掺杂,铝铟砷/镓铟砷,高电子迁移率晶体管,分子束外延,功率HEMT,HEMT,结构材料,InP基,沟道,分子束,迁移率,PHEMT,平面掺杂,外延生长,RHEED,电子浓度,Si掺杂,相图,...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]武一宾,商耀辉,陈昊,芮振璞,袁秀丽.InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究[J]固体电子学研究与进展.2003,(02)
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