罗四维
【姓名】 罗四维
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;仪器仪表工业;
【研究方向】
【发表文献关键词】 GaAs源耦合FET管逻辑电路,纳米图形,噪声容限,电子束光刻,剥离技术,开关特性,光刻技术,工作原理,纳米,T形栅,纳米级,电子束,单输入,GaAs,耦合单元,过渡电压,纳米点,电路,InPPHEM...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]罗蓉;杨拥军;王维军;刘玉贵;罗四维;.基于薄层SOI材料的NEMS结构制备技术[J]微纳电子技术.2009,(05)
[2]刘玉贵,王维军,罗四维.电子束纳米光刻技术研究[J]微纳电子技术.2003,(Z1)
[3]廖斌,罗四维,吴洪江.GaAsSCFL电路的研究[J]半导体情报.2000,(02)
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