刘玉贵
【姓名】 刘玉贵
【职称】 高级工程师;
【研究领域】 工业通用技术及设备;仪器仪表工业;无线电电子学;
【研究方向】 电子束直写工艺研究
【发表文献关键词】 纳米图形,电子束光刻,剥离技术,光刻技术,纳米,T形栅,纳米级,电子束,纳米点,InPPHEMT,级间距,电子束曝光系统,纳米光刻,制作技术,微纳米,线条,GaAs,科技集团,结构制作,金属条,
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]罗蓉;杨拥军;王维军;刘玉贵;罗四维;.基于薄层SOI材料的NEMS结构制备技术[J]微纳电子技术.2009,(05)
[2]刘玉贵,王维军,罗四维.电子束纳米光刻技术研究[J]微纳电子技术.2003,(Z1)
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