李云
【姓名】 李云
【职称】
【研究领域】 无线电电子学;
【研究方向】 砷化镓微波功率场效应晶体管的设计与制造工艺技术研究
【发表文献关键词】 大栅宽,MESFET,GaAs,GaAsMESFET,GaAs表面,击穿电压,内匹配,C波段,栅宽,单胞,PECVD,管芯,芯片,势垒,肖特基,欧姆接触,合成器,石家庄,As元素,合金,As2O3,功...
【工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所
【曾工作单位】 中国电子科技集团第十三研究所;
【所在地域】 石家庄
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[1]刘英斌;林琳;陈宏泰;袁凤坡;李云;.670nm发光二极管材料的MOCVD外延生长[J]微纳电子技术.2010,(02)
[2]李云,张利民,李岚,张绵.GaAs表面Ga、As的比对GaAs MESFET击穿电压的影响[J]半导体技术.2004,(12)
[3]李云,李岚,关富民,宋力波,高健,卜瑞艳,丁奎章.C波段大栅宽GaAs MESFET的研制[J]半导体情报.2000,(05)
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